Микропровода полупроводниковые и полуметаллические

Обладают уникальными свойствами: линейное магнито- сопротивление в слабых полях, повышенный коэффициент термоэдс. и др. Благодаря микронным диаметрам жилы (до 0,2 [Jm), соизмеримым с различными характеристическими длинами полупроводниковых и полуметаллических материалов, такие микропровода являются уникальными объектами для исследования классических и квантовых размерных эффектов.

Микропровода с полупроводниковой и полуметаллической жилами имеют ряд особенностей по сравнению с массивными полупроводниковыми кристаллами. Это связано с высокой , скоростью литья указанных микропроводов и позволяет в 2-3 раза расширить взаимную растворимость компонент твёрдых растворов, а также получать кристаллы, которые вообще не синтезируются обычными способами, что позволяет создать на их основе принципиально новые микропреобразователи.

Применение:

  • гальваномагнитные элементы и преобразователи;
  • преобразователи электрических и неэлектрических величин;
  • термоэлектрические преобразователи (термопары, микрохолодильники);
  • детекторы инфракрасного и жесткого излучения;
  • германиевые оптические волокна для передачи информации в инфракрасном диапазоне.
Материал жилы Ge Bi, Sb
Bi1-x-Sbx
InSb1-x-A
(A:InBi, Ge, NiSb, Bi)
Bi2Te3
Sb2Te3
d, µm - диаметр жилы 5 - 150 0,2 - 100 10 - 100 20 - 70
D - внешний диаметр (D-d)/2, µм 10 - 100
D/d 3 - 5
L, м 1 - 100 1 - 10 1 - 100
Удельное сопротивление, ρ, Ωм (5 - 50) 10-3 (1 - 2) 10-7 (1 - 500) 10-5 (2 - 10) 10-6
Термоэлектродвижущая сила, В/с - 80 - 100 - -150 ÷ +180
Магнитная чувствительность, R/R (B=3T) - 1 - 3 3 - 7 -
✔ Специальные требования по запросу заказчика